IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘层栅双极型晶体三极管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘层栅型场效管）构成的复合型全控型工作电压驱动器式输出功率半导体元器件，兼具MOSFET的高输入电阻和GTR的低导通压力降两层面的优势。GTR饱和状态压减少，载流密度大，但工作电压很大；MOSFET驱动器输出功率不大，电源开关速度更快，但通断压力降大，载流相对密度小。IGBT综合性了以上二种元器件的优势，驱动器输出功率小而饱和状态压减少。
IGBT特别适合运用于交流电压为600V及以上的变流系统如交流电动机、软启动器、电源变压器、照明灯具电源电路、牵引带传动系统等行业。图1所显示为一个N断面加强型绝缘层栅双极晶体三极管构造，N 区称之为源区，附在其上的电级称之为源极。N 区称之为漏区。元器件的保护区为栅区，附在其上的电级称之为栅极。断面在紧贴栅区界限产生。在漏、源中间的P型区（包含P 和P一区）（断面在该地区产生），称之为亚断面区（Subchannel region）。
而在漏区另一侧的P 区称之为漏引入区（Drain injector），它是IGBT独有的功能分区，与漏区和亚断面区一起产生PNP双极晶体三极管，起发射极的功效，向漏极引入空化，开展导电性调配，以减少元器件的通态工作电压。附在漏引入区上的电级称之为漏极。IGBT的电源开关功效是根据加顺向栅极工作电压产生断面，给PNP晶体三极管出示基极电流量，使IGBT通断。相反，加反方向门极工作电压清除断面，断开基极电流量，使IGBT关闭。IGBT的驱动器方式和MOSFET基本同样，只需控制键入极N一断面MOSFET，因此 具备高输入电阻特点。当MOSFET的断面产生后，从P 基极引入到N一层的空化（少子），对N一层开展氧化还原电位调配，减少N一层的电阻器，使IGBT在高电压时，也具备低的通态工作电压。
igbt控制模块如何精确测量优劣
检验IGBT优劣简易方式
1、分辨旋光性
最先将数字万用表拨在TImes;1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其他两方面电阻值为无穷，替换直流电流表后该极与其他两方面的电阻值仍为无穷，则分辨此极其栅极（G）。其他两方面再用万用表测量，若测出电阻值为无穷，替换直流电流表后精确测量电阻值较小。在精确测量电阻值较小的一次中，则分辨红直流电流表接的为集电结（C）；黑直流电流表接的为发射极（E）。
2、分辨优劣
将数字万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，用黑直流电流表接IGBT的集电结（C），红直流电流表接IGBT的发射极（E），这时数字万用表的表针在零位。用手指另外碰触一下栅极（G）和集电结（C），这时候IGBT被开启通断，数字万用表的表针摆向电阻值较小的方位，并能占住标示在某一部位。随后再用手指另外碰触一下栅极（G）和发射极（E），这时候IGBT被阻隔，数字万用表的表针回零。这时就可以分辨IGBT是好的。
3、一切指南针数字万用表皆可用以检验IGBT
留意分辨IGBT优劣时，一定要将数字万用表拨在R&TImes;10KΩ挡，因R&TImes;1KΩ挡下列各档数字万用表內部电池电压太低，检验优劣时不可以使IGBT通断，而没法分辨IGBT的优劣。此方式一样还可以用以检验输出功率场效晶体三极管（P-MOSFET）的优劣。
igbt控制模块如何精确测量优劣
逆变电源IGBT控制模块检验：
将数字万用表拨到二极管检测档，检测IGBT控制模块c1 e1、c2 e2中间及其栅极G与e1、e2中间正反面向二极管特性，来分辨IGBT控制模块是不是完好无损。
以六相控制模块为例子。将负荷侧U、V、W相的输电线拆卸，应用二极管检测档，红直流电流表接P（集电结c1），黑直流电流表先后测U、V、W，数字万用表显示信息标值为较大 ；将直流电流表相反，黑直流电流表接P，红直流电流表测U、V、W，数字万用表显示信息标值为400上下。再将红直流电流表接N（发射极e2），黑直流电流表测U、V、W，数字万用表显示信息标值为400上下；黑直流电流表接P，红直流电流表测U、V、W，数字万用表显示信息标值为较大 。各相中间的正反面向特点应同样，若出現区别表明IGBT控制模块特性下降，应予以拆换。IGBT控制模块毁坏时，仅有穿透短路故障状况出現。
红、黑两直流电流表各自测栅极G与发射极E中间的正反面向特点，数字万用表2次测定的标值都为较大 ，这时候可判断IGBT控制模块门极一切正常。如果有标值显示信息，则门极特性下降，此控制模块应拆换。当正反面向检测結果为零时，表明所检验的一相门极已被穿透短路故障。门极毁坏时线路板维护门极的稳压极管也将穿透毁坏。
